Producentens produktnummer:
IPD30N08S2L21ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPD30N08S2L21ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Lager:
20072 Stk Nye Originaler På Lager
12800562
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPD30N08S2L21ATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
75 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 80µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1650 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
136W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO252-3-11
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
IPD30N08
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
IPD30N08S2L21
IPD30N08S2L21ATMA1TR
SP000252170
IPD30N08S2L-21-DG
IPD30N08S2L-21CT
IFEINFIPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L-21
IPD30N08S2L21ATMA1DKR
IPD30N08S2L-21TR-DG
IPD30N08S2L21ATMA1CT
IPD30N08S2L-21DKR
IPD30N08S2L-21DKR-DG
IPD30N08S2L-21CT-DG
2156-IPD30N08S2L21ATMA1
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IAUT260N10S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
