Producentens produktnummer:
IPB073N15N5ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPB073N15N5ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Lager:
2934 Stk Nye Originaler På Lager
12800569
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPB073N15N5ATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-5
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
150 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
114A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.6V @ 160µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4700 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
214W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO263-3-2
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
IPB073
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
IPB073N15N5ATMA1DKR
IPB073N15N5ATMA1TR
IPB073N15N5ATMA1CT
SP001180660
IPB073N15N5ATMA1-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IPA60R600P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
IPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
