Producentens produktnummer:
IPD65R190C7ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPD65R190C7ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Lager:
3671 Stk Nye Originaler På Lager
12800572
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPD65R190C7ATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C7
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 290µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1150 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
72W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO252-3
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
IPD65R
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
IPD65R190C7ATMA1DKR
IPD65R190C7ATMA1TR
SP000928648
IPD65R190C7ATMA1CT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3