FDMS8027S

Producentens produktnummer:

FDMS8027S

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Delnummer:

FDMS8027S-DG

Beskrivelse:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Lager:

18985 Stk Nye Originaler På Lager

12947123

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FDMS8027S Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Emballage

Bulk

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

30 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

18A (Ta), 22A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

3V @ 1mA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

31 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1815 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

8-PQFN (5x6)

Pakke / etui

8-PowerTDFN

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke

347

Andre navne

2156-FDMS8027S

FAIFSCFDMS8027S

Miljø- og eksportklassificering

ECCN

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

nxp-semiconductors

PHB18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDFM2P110

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET

fairchild-semiconductor

FDP7030BL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7