Producentens produktnummer:
FDP100N10
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Delnummer:
FDP100N10-DG
Beskrivelse:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Lager:
2970 Stk Nye Originaler På Lager
12947141
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDP100N10 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
7300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
208W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
159
Andre navne
2156-FDP100N10
ONSONSFDP100N10
Miljø- og eksportklassificering
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRF6641TRPBF
IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQU5N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150