FDP100N10
Producentens produktnummer:

FDP100N10

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Delnummer:

FDP100N10-DG

Beskrivelse:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3

Lager:

2970 Stk Nye Originaler På Lager
12947141
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FDP100N10 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
7300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
208W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
159
Andre navne
2156-FDP100N10
ONSONSFDP100N10

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
Relaterede produkter
international-rectifier

IRF6641TRPBF

IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQU5N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

nxp-semiconductors

PSMN2R6-60PSQ

NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150

fairchild-semiconductor

FCU2250N80Z

MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK