Producentens produktnummer:
PHB18NQ10T,118
Product Overview
Producent:
NXP USA Inc.
Delnummer:
PHB18NQ10T,118-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Lager:
1966 Stk Nye Originaler På Lager
12947130
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
PHB18NQ10T,118 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
633 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
79W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
D2PAK
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
671
Andre navne
2156-PHB18NQ10T,118
NEXNXPPHB18NQ10T,118
Miljø- og eksportklassificering
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
FDP7030BL
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FDP100N10
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
