Producentens produktnummer:
DMT6009LFG-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Delnummer:
DMT6009LFG-13-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Lager:
12897137
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DMT6009LFG-13 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
11A (Ta), 34A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerDI3333-8
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Basis produktnummer
DMT6009
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
DMT6009LFG-13DI
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
DMT6009LFG-7
FREMSTILLER
Diodes Incorporated
ANTAL TILGÆNGELIGT
4168
DELE NUMMER
DMT6009LFG-7-DG
ENHEDSPRIS
0.37
ERSTATNINGSTYPE
Parametric Equivalent
DELENUMMER
BSZ110N06NS3GATMA1
FREMSTILLER
Infineon Technologies
ANTAL TILGÆNGELIGT
16802
DELE NUMMER
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
ENHEDSPRIS
0.30
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DIGI-certificering
Relaterede produkter
TSM13N50ACI C0G
MOSFET N-CH 500V 13A ITO220AB
TSM085N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
TSM250N02CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
