DMT6009LFG-7
Producentens produktnummer:

DMT6009LFG-7

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Delnummer:

DMT6009LFG-7-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Lager:

4168 Stk Nye Originaler På Lager
12949502
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

DMT6009LFG-7 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
11A (Ta), 34A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerDI3333-8
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Basis produktnummer
DMT6009

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
2,000
Andre navne
DMT6009LFG-7DIDKR
DMT6009LFG-7DITR
DMT6009LFG-7DICT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
diodes

DMS3014SFGQ-13

MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8

diodes

ZVN2110ASTOB

MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

diodes

DMTH6016LFDFWQ-7

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

diodes

ZXM62P02E6TA

MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6