Producentens produktnummer:
BSZ110N06NS3GATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Lager:
16802 Stk Nye Originaler På Lager
12799645
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
BSZ110N06NS3GATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 23µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2700 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TSDSON-8
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Basis produktnummer
BSZ110
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
5,000
Andre navne
BSZ110N06NS3 GDKR-DG
SP000453676
BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3GATMA1TR
BSZ110N06NS3GINTR
2156-BSZ110N06NS3GATMA1
BSZ110N06NS3GINTR-DG
BSZ110N06NS3GATMA1DKR
BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3GATMA1CT
BSZ110N06NS3GINDKR-DG
BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-DG
BSZ110N06NS3 GDKR
INFINFBSZ110N06NS3GATMA1
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
BSO064N03S
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
BSS214NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON