Producentens produktnummer:
SQM100N10-10_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SQM100N10-10_GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Lager:
217 Stk Nye Originaler På Lager
12787524
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SQM100N10-10_GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
8050 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
375W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
SQM100
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
800
Andre navne
SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3CT
SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-DG
SQM100N10-10_GE3TR
SQM100N10-10_GE3DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
IXFA130N10T2
FREMSTILLER
IXYS
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
IXFA130N10T2-DG
ENHEDSPRIS
2.41
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SIHA21N60EF-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHP21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
