Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
SIR112DP-T1-RE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SIR112DP-T1-RE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Lager:
RFQ Online
12787538
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SIR112DP-T1-RE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
40 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.96mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4270 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Basis produktnummer
SIR112
Datablad og dokumenter
Datablade
SIR112DP
Datasheets
SIR112DP-T1-RE3
HTML datablade
SIR112DP-T1-RE3-DG
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
RS3L045GNGZETB
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
1173
DELE NUMMER
RS3L045GNGZETB-DG
ENHEDSPRIS
0.25
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
RS6G120BGTB1
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
2094
DELE NUMMER
RS6G120BGTB1-DG
ENHEDSPRIS
1.48
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
RQ3G100GNTB
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
112698
DELE NUMMER
RQ3G100GNTB-DG
ENHEDSPRIS
0.14
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
RS1G150MNTB
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
RS1G150MNTB-DG
ENHEDSPRIS
0.32
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DELENUMMER
RQ3E180GNTB
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
4770
DELE NUMMER
RQ3E180GNTB-DG
ENHEDSPRIS
0.21
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SIHA15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SUP50020EL-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
SUM110N06-3M4L-E3
MOSFET N-CH 60V 110A TO263