Producentens produktnummer:
SI4876DY-T1-GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SI4876DY-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Lager:
12965815
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SI4876DY-T1-GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
-
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
20 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
1.6W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis produktnummer
SI4876
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
SI4186DY-T1-GE3
FREMSTILLER
Vishay Siliconix
ANTAL TILGÆNGELIGT
4214
DELE NUMMER
SI4186DY-T1-GE3-DG
ENHEDSPRIS
0.40
ERSTATNINGSTYPE
MFR Recommended
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
