Producentens produktnummer:
SQJ431AEP-T1_GE3
Product Overview
Producent:
Vishay Siliconix
Delnummer:
SQJ431AEP-T1_GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Lager:
12965817
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SQJ431AEP-T1_GE3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
305mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
68W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PowerPAK® SO-8
Pakke / etui
PowerPAK® SO-8
Basis produktnummer
SQJ431
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SQJ431AEP-T1_GE3TR
SQJ431AEP-T1_GE3CT
SQJ431AEP-T1_GE3DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
SQJ431AEP-T1_BE3
FREMSTILLER
Vishay Siliconix
ANTAL TILGÆNGELIGT
5335
DELE NUMMER
SQJ431AEP-T1_BE3-DG
ENHEDSPRIS
0.61
ERSTATNINGSTYPE
Parametric Equivalent
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
UJ4C075044K3S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
