TPH3212PS

Producentens produktnummer:

TPH3212PS

Product Overview

Producent:

Transphorm

Delnummer:

TPH3212PS-DG

Beskrivelse:

GANFET N-CH 650V 27A TO220AB

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Lager:

RFQ Online

13446813

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

TPH3212PS Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Transphorm

Emballage

-

Serie

-

Produkt status

Obsolete

FET-type

N-Channel

Teknologi

GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Afløb til kildespænding (Vdss)

650 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

27A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 17A, 8V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.6V @ 400uA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

14 nC @ 8 V

Vgs (maks.)

±18V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1130 pF @ 400 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

104W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

TO-220AB

Pakke / etui

TO-220-3

Basis produktnummer

TPH3212

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke

50

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

RoHS Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

transphorm

TPH3208LD

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN

transphorm

TPH3206PD

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

transphorm

TP65H035WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

transphorm

TPH3208PS

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB