TPH3208LD
Producentens produktnummer:

TPH3208LD

Product Overview

Producent:

Transphorm

Delnummer:

TPH3208LD-DG

Beskrivelse:

GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 4-PQFN (8x8)

Lager:

RFQ Online
13446877
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

TPH3208LD Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Transphorm
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Afløb til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.6V @ 300µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (maks.)
±18V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
760 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
96W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
4-PQFN (8x8)
Pakke / etui
4-PowerDFN

Yderligere Information

Standard pakke
60

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative modeller

DELENUMMER
TPH3208LDG
FREMSTILLER
Transphorm
ANTAL TILGÆNGELIGT
20
DELE NUMMER
TPH3208LDG-DG
ENHEDSPRIS
8.70
ERSTATNINGSTYPE
Direct
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
transphorm

TPH3206PD

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB

transphorm

TP65H035WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

transphorm

TPH3208PS

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

transphorm

TP65H050WS

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3