Producentens produktnummer:
RN2112,LF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN2112,LF(CT-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Lager:
3000 Stk Nye Originaler På Lager
12891205
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN2112,LF(CT Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
22 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
200 MHz
Effekt - Maks.
100 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-75, SOT-416
Pakke med leverandørenheder
SSM
Basis produktnummer
RN2112
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
RN2112,LF(CB
RN2112,LF(CTTR
RN2112,LF(CTCT-DG
RN2112LF(CBDKR
RN2112(T5L,F,T)
RN2112(T5LFT)TR-DG
RN2112LF(CTTR
RN2112LF(CBCT
RN2112,LF(CTDKR
RN2112LF(CBTR
RN2112LF(CBTR-DG
RN2112LF(CTDKR
RN2112(T5LFT)CT
RN2112LF(CBCT-DG
RN2112,LF(CTCT
RN2112LF(CTCT
RN2112(T5LFT)CT-DG
RN2112(T5LFT)DKR-DG
RN2112(T5LFT)TR
RN2112LF(CBDKR-DG
RN2112(T5LFT)DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN2108(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2130MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2103ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3