Producentens produktnummer:
RN2130MFV,L3F
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN2130MFV,L3F-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Lager:
7970 Stk Nye Originaler På Lager
12891268
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
oolD
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN2130MFV,L3F Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
100 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
100 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
100 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Effekt - Maks.
150 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-723
Pakke med leverandørenheder
VESM
Basis produktnummer
RN2130
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
8,000
Andre navne
264-RN2130MFV,L3FCT
264-RN2130MFV,L3FDKR
RN2130MFVL3F-DG
RN2130MFVL3F
264-RN2130MFV,L3FTR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN2103ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2111MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2110ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
