Producentens produktnummer:
RN2109ACT(TPL3)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN2109ACT(TPL3)-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Lager:
9900 Stk Nye Originaler På Lager
12889310
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN2109ACT(TPL3) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
80 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
47 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
22 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Effekt - Maks.
100 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-101, SOT-883
Pakke med leverandørenheder
CST3
Basis produktnummer
RN2109
Yderligere Information
Standard pakke
10,000
Andre navne
RN2109ACT(TPL3)TR
RN2109ACT(TPL3)CT
RN2109ACT(TPL3)DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
MUN5137T1G
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
MUN5137T1G-DG
ENHEDSPRIS
0.01
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN1131MFV(TL3,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3