Producentens produktnummer:
RN1131MFV(TL3,T)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1131MFV(TL3,T)-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Lager:
3000 Stk Nye Originaler På Lager
12889320
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1131MFV(TL3,T) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
100 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Effekt - Maks.
150 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-723
Pakke med leverandørenheder
VESM
Basis produktnummer
RN1131
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
8,000
Andre navne
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
DTC115TM3T5G
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
DTC115TM3T5G-DG
ENHEDSPRIS
0.03
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN1110(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
RN2103(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM