RN1131MFV(TL3,T)
Producentens produktnummer:

RN1131MFV(TL3,T)

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Delnummer:

RN1131MFV(TL3,T)-DG

Beskrivelse:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

Lager:

3000 Stk Nye Originaler På Lager
12889320
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

RN1131MFV(TL3,T) Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
100 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Effekt - Maks.
150 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-723
Pakke med leverandørenheder
VESM
Basis produktnummer
RN1131

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
8,000
Andre navne
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
RoHS Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative modeller

DELENUMMER
DTC115TM3T5G
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
DTC115TM3T5G-DG
ENHEDSPRIS
0.03
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1110(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1112ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2103(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1104T5LFT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM