Producentens produktnummer:
RN1610(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1610(TE85L,F)-DG
Beskrivelse:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Lager:
1250 Stk Nye Originaler På Lager
12891318
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1610(TE85L,F) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
4.7kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
-
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250MHz
Effekt - Maks.
300mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-74, SOT-457
Pakke med leverandørenheder
SM6
Basis produktnummer
RN1610
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
RN1610(TE85LF)CT
RN1610(TE85LF)DKR
RN1610(TE85LF)TR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN1709,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
RN1962FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV