Producentens produktnummer:
RN1962FE(TE85L,F)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1962FE(TE85L,F)-DG
Beskrivelse:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Lager:
3815 Stk Nye Originaler På Lager
12891334
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1962FE(TE85L,F) Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolære Transistor Arrays, Forud-Biaseret
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50V
Modstand - Base (R1)
10kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
10kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250MHz
Effekt - Maks.
100mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-563, SOT-666
Pakke med leverandørenheder
ES6
Basis produktnummer
RN1962
Yderligere Information
Standard pakke
4,000
Andre navne
RN1962FE(TE85LF)TR
RN1962FE(TE85LF)DKR
RN1962FETE85LF
RN1962FE(TE85LF)CT
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
RN1102MFV,L3F
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
13398
DELE NUMMER
RN1102MFV,L3F-DG
ENHEDSPRIS
0.02
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1704,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
RN4902,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
