Producentens produktnummer:
RN1101,LF(CT
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
RN1101,LF(CT-DG
Beskrivelse:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Lager:
5124 Stk Nye Originaler På Lager
12889269
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
RN1101,LF(CT Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
4.7 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
4.7 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Frekvens - Overgang
250 MHz
Effekt - Maks.
100 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-75, SOT-416
Pakke med leverandørenheder
SSM
Basis produktnummer
RN1101
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
RN1101,LF(CTTR
RN1101,LF(CTDKR-DG
RN1101LF(CTCT
RN1101(T5LFT)TR
RN1101,LF(CTTR-DG
RN1101T5LFT
RN1101LF(CTDKR
RN1101(T5LFT)DKR-DG
RN1101(T5LFT)DKR
RN1101,LF(CTCT
RN1101,LF(CTDKR
RN1101,LF(CTCT-DG
RN1101,LF(CB
RN1101(T5LFT)TR-DG
RN1101(T5LFT)CT-DG
RN1101LF(CTTR
RN1101(T5L,F,T)
RN1101(T5LFT)CT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
RN1405,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1402,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DTC143ESA-BP
TRANS PREBIAS NPN 50V TO92S
