2SA965-O,F(J
Producentens produktnummer:

2SA965-O,F(J

Product Overview

Producent:

Toshiba Semiconductor and Storage

Delnummer:

2SA965-O,F(J-DG

Beskrivelse:

TRANS PNP 120V 0.8A TO92MOD
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD

Lager:

12890727
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SA965-O,F(J Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
800 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
120 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1V @ 50mA, 500mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
80 @ 100mA, 5V
Effekt - Maks.
900 mW
Frekvens - Overgang
120MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pakke med leverandørenheder
TO-92MOD
Basis produktnummer
2SA965

Yderligere Information

Standard pakke
1
Andre navne
2SA965-OF(J
2SA965OFJ

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative modeller

DELENUMMER
2SA1201-Y(TE12L,ZC
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
788
DELE NUMMER
2SA1201-Y(TE12L,ZC-DG
ENHEDSPRIS
0.13
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC5171(ONK,Q,M)

TRANS NPN 180V 2A TO220NIS

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1887(F)

TRANS PNP 50V 10A TO220NIS

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC2235-Y,USNHF(M

TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD