Producentens produktnummer:
2SA1930(LBS2MATQ,M
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Delnummer:
2SA1930(LBS2MATQ,M-DG
Beskrivelse:
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 180 V 2 A 200MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Lager:
12890736
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
rzdu
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SA1930(LBS2MATQ,M Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
2 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
180 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1V @ 100mA, 1A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
5µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
100 @ 100mA, 5V
Effekt - Maks.
2 W
Frekvens - Overgang
200MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Pakke med leverandørenheder
TO-220NIS
Basis produktnummer
2SA1930
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
2SA1930(LBS2MATQM
2SA1930LBS2MATQM
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
2SC5171(ONK,Q,M)
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
2SA1887(F)
TRANS PNP 50V 10A TO220NIS
2SC2235-Y,USNHF(M
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD