Producentens produktnummer:
BUV21G
Product Overview
Producent:
Sanyo
Delnummer:
BUV21G-DG
Beskrivelse:
SWITCHMODE NPN SILICON POWER TRA
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Lager:
100 Stk Nye Originaler På Lager
12946687
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
BUV21G Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
Emballage
Bulk
Serie
SWITCHMODE™
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
40 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
200 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1.5V @ 3A, 25A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
3mA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
20 @ 12A, 2V
Effekt - Maks.
250 W
Frekvens - Overgang
8MHz
Driftstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-204AE
Pakke med leverandørenheder
TO-204 (TO-3)
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
21
Andre navne
ONSONSBUV21G
2156-BUV21G
Miljø- og eksportklassificering
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
MJ11028G
HIGH-CURRENT NPN SILICON POWER T
KSC1008GBU
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
MJ11033G
HIGH-CURRENT PNP SILICON POWER T
