MJ11028G
Producentens produktnummer:

MJ11028G

Product Overview

Producent:

Sanyo

Delnummer:

MJ11028G-DG

Beskrivelse:

HIGH-CURRENT NPN SILICON POWER T
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Lager:

2500 Stk Nye Originaler På Lager
12946689
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

MJ11028G Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
50 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
60 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
3.5V @ 500mA, 50A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
2mA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
1000 @ 25A, 5V
Effekt - Maks.
300 W
Frekvens - Overgang
-
Driftstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-204AE
Pakke med leverandørenheder
TO-204 (TO-3)

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
23
Andre navne
ONSONSMJ11028G
2156-MJ11028G

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
Relaterede produkter
fairchild-semiconductor

KSC1008GBU

TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3

fairchild-semiconductor

MJ11033G

HIGH-CURRENT PNP SILICON POWER T

stmicroelectronics

BU941ZP

TRANS NPN DARL 350V 15A TO247-3

fairchild-semiconductor

FJL4315OTU

TRANS NPN 250V 17A HPM F2