HP8KE7TB1

Producentens produktnummer:

HP8KE7TB1

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Delnummer:

HP8KE7TB1-DG

Beskrivelse:

MOSFET 2N-CH 100V 10A/24A 8HSOP

Detaljeret Beskrivelse:

Mosfet Array 100V 10A (Ta), 24A (Tc) 3W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Lager:

2475 Stk Nye Originaler På Lager

12787954

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

HP8KE7TB1 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays

Producent

ROHM Semiconductor

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produkt status

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguration

2 N-Channel

FET-funktion

Standard

Afløb til kildespænding (Vdss)

100V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

10A (Ta), 24A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

19.8nC @ 10V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1100pF @ 50V

Effekt - Maks.

3W (Ta), 26W (Tc)

Driftstemperatur

150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke / etui

8-PowerTDFN

Pakke med leverandørenheder

8-HSOP

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

2,500

Andre navne

846-HP8KE7TB1CT

846-HP8KE7TB1DKR

846-HP8KE7TB1TR

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

rohm-semi

HP8ME5TB1

MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP

rohm-semi

HT8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT

rohm-semi

HP8KE6TB1

MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP

vishay-siliconix

SIZF4800LDT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR