Producentens produktnummer:
HP8ME5TB1
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Delnummer:
HP8ME5TB1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 100V 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Lager:
1193 Stk Nye Originaler På Lager
12787955
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
HP8ME5TB1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
Standard
Afløb til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Effekt - Maks.
3W (Ta), 20W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Pakke med leverandørenheder
8-HSOP
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
846-HP8ME5TB1DKR
846-HP8ME5TB1CT
846-HP8ME5TB1TR
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
HT8KE6TB1
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
HP8KE6TB1
MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
SIZF4800LDT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 80V 10A PWRPAIR
