Producentens produktnummer:
NTJD4152PT1G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NTJD4152PT1G-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 20V 880mA 272mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Lager:
15411 Stk Nye Originaler På Lager
12842210
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NTJD4152PT1G Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 880mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
155pF @ 20V
Effekt - Maks.
272mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakke med leverandørenheder
SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis produktnummer
NTJD4152
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
NTJD4152PT1GOSDKR
NTJD4152PT1GOSCT
NTJD4152PT1GOSTR
2832-NTJD4152PT1GTR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
QJD1210010
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
