Producentens produktnummer:
NVMD6P02R2G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
NVMD6P02R2G-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
Lager:
12842275
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
fTiL
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
NVMD6P02R2G Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1700pF @ 16V
Effekt - Maks.
750mW
Driftstemperatur
-
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Basis produktnummer
NVMD6
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
2156-NVMD6P02R2G-OS
ONSONSNVMD6P02R2G
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
MCH6663-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH
NTMFD5C650NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN
NTGD3133PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
