Producentens produktnummer:
HUF75617D3
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
HUF75617D3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 16A (Tc) 64W (Tc) Through Hole I-PAK
Lager:
12850360
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
HUF75617D3 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
UltraFET™
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
570 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
64W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
I-PAK
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis produktnummer
HUF75
Yderligere Information
Standard pakke
75
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
IRFU3910PBF
FREMSTILLER
Infineon Technologies
ANTAL TILGÆNGELIGT
3219
DELE NUMMER
IRFU3910PBF-DG
ENHEDSPRIS
0.36
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
AOI8N25
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
FDMS030N06B
MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN