Producentens produktnummer:
FDS4435BZ
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDS4435BZ-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Lager:
27015 Stk Nye Originaler På Lager
12850362
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDS4435BZ Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1845 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.5W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis produktnummer
FDS4435
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
FDS4435BZTR
2156-FDS4435BZ-OS
FDS4435BZDKR
FAIFSCFDS4435BZ
FDS4435BZCT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
AOI8N25
MOSFET N-CH 250V 8A TO251A
FDMS030N06B
MOSFET N-CH 60V 22.1A/100A 8PQFN
AOI4S60
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
