Producentens produktnummer:
FDS8878
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDS8878-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 10.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Lager:
3799 Stk Nye Originaler På Lager
12836289
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDS8878 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
10.2A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 10.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
897 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.5W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis produktnummer
FDS88
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
FDS8878DKR
FDS8878-DG
FDS8878TR
FDS8878CT
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FQB8N60CFTM
MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK
FDC8886
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
HUF76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
