Producentens produktnummer:

FDC8886

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDC8886-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Lager:

11945 Stk Nye Originaler På Lager

12836294

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FDC8886 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

30 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

6.5A (Ta), 8A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

3V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

7.4 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

465 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

1.6W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

SuperSOT™-6

Pakke / etui

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Basis produktnummer

FDC8886

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

3,000

Andre navne

FDC8886CT

FDC8886DKR

FDC8886TR

FDC8886-DG

2156-FDC8886-OS

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

HUF76639P3

MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3

onsemi

ATP108-TL-H

MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK

onsemi

IRFU220_R4941

MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK

onsemi

2SK4094-1E

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3