Producentens produktnummer:
FDD8880
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDD8880-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Lager:
13967 Stk Nye Originaler På Lager
12846733
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDD8880 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
13A (Ta), 58A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1260 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
55W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-252AA
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
FDD888
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
FDD8880TR
FDD8880CT
2156-FDD8880-OS
FDD8880DKR
FAIFSCFDD8880
FDD8880-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
HUF75617D3ST
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
FDC855N
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
AOTF240L
MOSFET N-CH 40V 20A/85A TO220-3F
