FDN5618P
Producentens produktnummer:

FDN5618P

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDN5618P-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Lager:

31131 Stk Nye Originaler På Lager
12846740
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FDN5618P Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
1.25A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
430 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
500mW (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
SOT-23-3
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis produktnummer
FDN5618

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
FDN5618PCT
2832-FDN5618PTR
FDN5618PDKR
FDN5618PTR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

FDMS86255

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

infineon-technologies

IPA80R600P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

onsemi

FQD8P10TM_SB82052

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

onsemi

FDMC86183

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN