2SD1830
Producentens produktnummer:

2SD1830

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

2SD1830-DG

Beskrivelse:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 8 A 20MHz 2 W Through Hole TO-220ML

Lager:

2000 Stk Nye Originaler På Lager
12996675
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SD1830 Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
8 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
100 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1.5V @ 8mA, 4A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
1500 @ 4A, 3V
Effekt - Maks.
2 W
Frekvens - Overgang
20MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Pakke med leverandørenheder
TO-220ML

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheet
Datasheets
2SD1830
HTML datablade
2SD1830-DG

Yderligere Information

Standard pakke
533
Andre navne
2156-2SD1830-488

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
Vendor Undefined
REACH-status
Vendor Undefined
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
nxp-semiconductors

PBSS5612PA,115

NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN

sanyo

2SA2022

2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S

nxp-semiconductors

BSR16/DG/B4215

NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI

sanyo

2SC3661-TB-E

2SC3661 - NPN EPITAXIAL PLANAR S