PBSS5612PA,115
Producentens produktnummer:

PBSS5612PA,115

Product Overview

Producent:

NXP Semiconductors

Delnummer:

PBSS5612PA,115-DG

Beskrivelse:

NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 6 A 60MHz 2.1 W Surface Mount 3-HUSON (2x2)

Lager:

99332 Stk Nye Originaler På Lager
12996680
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
JO3i
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

PBSS5612PA,115 Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
6 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
12 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 300mA, 6A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
190 @ 2A, 2V
Effekt - Maks.
2.1 W
Frekvens - Overgang
60MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
3-PowerUDFN
Pakke med leverandørenheder
3-HUSON (2x2)

Yderligere Information

Standard pakke
2,777
Andre navne
2156-PBSS5612PA,115-954

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
DIGI-certificering
Relaterede produkter
sanyo

2SA2022

2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S

nxp-semiconductors

BSR16/DG/B4215

NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI

sanyo

2SC3661-TB-E

2SC3661 - NPN EPITAXIAL PLANAR S

nxp-semiconductors

PMST2222,115

NEXPERIA PMST2222 - SMALL SIGNAL