Producentens produktnummer:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Producent:
NXP USA Inc.
Delnummer:
PHE13009/DG,127-DG
Beskrivelse:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Lager:
3680 Stk Nye Originaler På Lager
12947849
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
PHE13009/DG,127 Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
12 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
400 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
2V @ 1.6A, 8A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100µA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
8 @ 5A, 5V
Effekt - Maks.
80 W
Frekvens - Overgang
-
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-220-3
Pakke med leverandørenheder
TO-220AB
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
912
Andre navne
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
Miljø- og eksportklassificering
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
PMSS3904135
NOW NEXPERIA PMSS3904 - SMALL SI
NZT753
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 10
PHE13003C,126
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
