Producentens produktnummer:
PHE13003C,126
Product Overview
Producent:
NXP USA Inc.
Delnummer:
PHE13003C,126-DG
Beskrivelse:
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
Lager:
5000 Stk Nye Originaler På Lager
12947895
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
PHE13003C,126 Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
1.5 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
400 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1.5V @ 500mA, 1.5A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100µA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
5 @ 1A, 2V
Effekt - Maks.
2.1 W
Frekvens - Overgang
-
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pakke med leverandørenheder
TO-92-3
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,963
Andre navne
WENNXPPHE13003C,126
2156-PHE13003C,126
Miljø- og eksportklassificering
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
PMBT4403YSX
TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
PBSS5140U,135
NOW NEXPERIA PBSS5140U - SMALL S
PHPT60610PYX
PHPT60610PY - 60 V, 10A PNP HIGH
