Producentens produktnummer:
APT1002RBNG
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
APT1002RBNG-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247AD
Lager:
13249878
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
APT1002RBNG Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
POWER MOS IV®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
1000 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
240W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-247AD
Pakke / etui
TO-247-3
Yderligere Information
Standard pakke
30
Andre navne
APT1002RBNG-ND
150-APT1002RBNG
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
APT10035B2LLG
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
APT10090BLLG
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
2N6849
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
