2N6849

Producentens produktnummer:

2N6849

Product Overview

Producent:

Microsemi Corporation

Delnummer:

2N6849-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39

Detaljeret Beskrivelse:

P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39

Lager:

RFQ Online

13249919

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

2N6849 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

Microsemi

Emballage

-

Serie

-

Produkt status

Obsolete

FET-type

P-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

100 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

6.5A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

34.8 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheder

TO-39

Pakke / etui

TO-205AF Metal Can

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke

1

Andre navne

2N6849-ND

150-2N6849

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

microchip-technology

APT50M85JVFR

MOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP

microsemi

APT130SM70B

SICFET N-CH 700V 110A TO247-3

microchip-technology

APT10035B2FLLG

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

microchip-technology

APT20M22LVRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264