Producentens produktnummer:
IRF2805PBF
Product Overview
Producent:
International Rectifier
Delnummer:
IRF2805PBF-DG
Beskrivelse:
IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Lager:
1042 Stk Nye Originaler På Lager
12946770
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IRF2805PBF Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
HEXFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
55 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
5110 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
330W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220AB
Pakke / etui
TO-220-3
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
243
Andre navne
2156-IRF2805PBF
IFEIRFIRF2805PBF
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
FQP3P20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FQA44N30
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4