Producentens produktnummer:
FQP3P20
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Delnummer:
FQP3P20-DG
Beskrivelse:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 200 V 2.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3
Lager:
3186 Stk Nye Originaler På Lager
12946780
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FQP3P20 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
QFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
52W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
422
Andre navne
FAIFSCFQP3P20
2156-FQP3P20
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FQA44N30
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDP16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
FDPF13N50FT
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
