FQP3P20
Producentens produktnummer:

FQP3P20

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Delnummer:

FQP3P20-DG

Beskrivelse:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 200 V 2.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3

Lager:

3186 Stk Nye Originaler På Lager
12946780
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FQP3P20 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
QFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
52W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
422
Andre navne
FAIFSCFQP3P20
2156-FQP3P20

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-certificering
Relaterede produkter
fairchild-semiconductor

FQA44N30

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDP16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF13N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

IRFH5250DTRPBF

IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO