Producentens produktnummer:
IPN95R1K2P7ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPN95R1K2P7ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 950 V 6A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Lager:
3189 Stk Nye Originaler På Lager
12804050
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPN95R1K2P7ATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
950 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 140µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
478 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
7W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-SOT223
Pakke / etui
TO-261-4, TO-261AA
Basis produktnummer
IPN95R1
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
SP001792336
IPN95R1K2P7ATMA1TR
IPN95R1K2P7ATMA1CT
IPN95R1K2P7ATMA1DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IPA80R1K4P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
