Producentens produktnummer:
IPD320N20N3GATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
IPD320N20N3GATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Lager:
3373 Stk Nye Originaler På Lager
12804053
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
mxcZ
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IPD320N20N3GATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 90µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
136W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO252-3
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
IPD320
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
IPD320N20N3GATMA1DKR
IPD320N20N3GATMA1TR
IPD320N20N3GATMA1CT
SP001127832
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
IPI80N06S407AKSA2
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
IPN70R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
