Producentens produktnummer:
BSO615CT
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
BSO615CT-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Lager:
12840966
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
BSO615CT Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Infineon Technologies
Emballage
-
Serie
SIPMOS®
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
60V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 20µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
22.5nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
380pF @ 25V
Effekt - Maks.
2W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakke med leverandørenheder
PG-DSO-8
Basis produktnummer
BSO615
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
BSO615CXTINTR
BSO615CXTINDKR
BSO615CXTINCT
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
QJD1210SB1
SIC 1200V 10A MOD
NTHD2102PT1G
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
QJD1210SA1
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
