Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
QJD1210SA1
Product Overview
Producent:
Powerex Inc.
Delnummer:
QJD1210SA1-DG
Beskrivelse:
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module
Lager:
RFQ Online
12841161
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
QJD1210SA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Powerex
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Teknologi
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.6V @ 34mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
330nC @ 15V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
8200pF @ 10V
Effekt - Maks.
520W
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Chassis Mount
Pakke / etui
Module
Pakke med leverandørenheder
Module
Basis produktnummer
QJD1210
Datablad og dokumenter
Datasheets
QJD1210SA1
HTML datablade
QJD1210SA1-DG
Datablade
QJD1210SA1 Preliminary Datasheet
Next Generation Power Semiconductors Brief
Yderligere Information
Standard pakke
1
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
NVMFD5C478NWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 9.8A/27A 8DFN
MCH6662-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6MCPH
NTHD3102CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
MMDF2C03HDR2
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC