Producentens produktnummer:
BSC060P03NS3EGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
BSC060P03NS3EGATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 30 V 17.7A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Lager:
10343 Stk Nye Originaler På Lager
12799628
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
BSC060P03NS3EGATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
17.7A (Ta), 100A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.1V @ 150µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
6020 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TDSON-8-1
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Basis produktnummer
BSC060
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
5,000
Andre navne
BSC060P03NS3E GDKR-DG
BSC060P03NS3E GCT
BSC060P03NS3EG
BSC060P03NS3E G
BSC060P03NS3EGATMA1TR
BSC060P03NS3E GDKR
2156-BSC060P03NS3EGATMA1
INFINFBSC060P03NS3EGATMA1
SP000472984
BSC060P03NS3E G-DG
BSC060P03NS3EGATMA1CT
BSC060P03NS3E GCT-DG
BSC060P03NS3E GTR-DG
BSC060P03NS3EGATMA1DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
BSD214SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
