FQPF2N70
Producentens produktnummer:

FQPF2N70

Product Overview

Producent:

Fairchild Semiconductor

Delnummer:

FQPF2N70-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 700V 2A TO220F
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 700 V 2A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Lager:

42241 Stk Nye Originaler På Lager
12946481
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FQPF2N70 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
700 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
28W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220F-3
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
439
Andre navne
2156-FQPF2N70
ONSONSFQPF2N70

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
fairchild-semiconductor

FCPF9N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STD20NF06T4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

fairchild-semiconductor

FDC855N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI